Apple จะเปลี่ยนจากการใช้แฟลช NAND TLC (เซลล์สามระดับ) เป็น MLC (เซลล์หลายระดับ) NAND flash ใน iPhone 6 และ iPhone 6 Plus หลังจากที่ผู้ใช้มี มีประสบการณ์ ปัญหาการหยุดทำงานและการวนรอบการบูตกับอุปกรณ์ทั้งสองรุ่นที่มีความจุสูงกว่า รายงาน ธุรกิจเกาหลี .
แหล่งข่าวบอกกับหนังสือพิมพ์ว่า บริษัทหน่วยความจำแฟลช Anobit ซึ่ง Apple เข้าซื้อกิจการในปี 2554 นั้นต้องโทษสำหรับข้อบกพร่องในการผลิต มีรายงานว่า Apple จะเปลี่ยนไปใช้แฟลช MLC NAND สำหรับ iPhone 6 รุ่น 64GB และ iPhone 6 Plus ขนาด 128GB และจะแก้ไขปัญหาการหยุดทำงานและการวนรอบการบูตด้วยการเปิดตัว iOS 8.1.1 Apple เคยใช้แฟลช MLC NAND มาก่อนใน iPhone รุ่นก่อนหน้า
แฟลช TLC NAND เป็นหน่วยความจำแฟลช NAND แบบโซลิดสเตตที่จัดเก็บข้อมูลสามบิตต่อเซลล์ สามารถจัดเก็บข้อมูลได้มากเป็นสามเท่าของเซลล์ระดับเดียว (SLC) ที่จัดเก็บข้อมูลหนึ่งบิต และ 1.5 เท่าของหน่วยความจำแฟลชโซลิดสเตตแบบเซลล์หลายระดับ (MLC) ที่จัดเก็บข้อมูลสองบิต ยิ่งไปกว่านั้น แฟลช TLC ยังมีราคาที่ถูกกว่าอีกด้วย อย่างไรก็ตาม ยังช้ากว่า SLC หรือ MLC ในการอ่านและเขียนข้อมูล
Apple ปล่อย iOS 8.1.1 เบต้ารุ่นแรกให้กับนักพัฒนาเมื่อต้นสัปดาห์นี้ แม้ว่าบริษัทไม่ได้ระบุว่าการแก้ไขข้อบกพร่องที่รวมอยู่นั้นสามารถแก้ไขปัญหาการวนรอบการบูตและปัญหาการขัดข้องใน iPhone 6 และ iPhone 6 Plus หรือไม่ ขอแนะนำให้ผู้ใช้ที่ประสบปัญหาการบูตวนซ้ำและเกิดปัญหากับ iPhone 6 หรือ iPhone 6 Plus ให้นำอุปกรณ์กลับไปที่ Apple Retail Store เพื่อเปลี่ยน
โพสต์ยอดนิยม